题21
题目
Q:已知单个存储体的存储周期为
A. 小于 11 B. 等于 11 C. 大于 11 D. 大于或等于 11
分析
A:低位交叉编址多模块存储器, 采用轮流启动的方式时, 类似于流水线的工作方式, 为保证某个模块再次启动时, 其上次的存取操作已完成 (流水线不间断), 要求两次启动间隔的时间必须大于或等于一个存储周期,即 “模块数
这个不等式也就是下图三个
这四个第二轮启动,正好对应上,m0的起始段下面那四个,这个应该才是这个不等式的对应


解
D
Q:已知单个存储体的存储周期为
A. 小于 11 B. 等于 11 C. 大于 11 D. 大于或等于 11
A:低位交叉编址多模块存储器, 采用轮流启动的方式时, 类似于流水线的工作方式, 为保证某个模块再次启动时, 其上次的存取操作已完成 (流水线不间断), 要求两次启动间隔的时间必须大于或等于一个存储周期,即 “模块数
这个不等式也就是下图三个
这四个第二轮启动,正好对应上,m0的起始段下面那四个,这个应该才是这个不等式的对应


D